数字电路的半导体器件主要工作于开关状态，作为开关一般有两种状态：开态和关态。这些器件在实际中都不是理想开关。一般要做简化处理。
一、二极管的开关特性（单向导电性）:
死区电压Ｖｒ和钳位电压Ｖｒ＇是二极管的两个重要参数。
当外加正向电压ＵＩ小于钳位电压Ｖｒ＇时，二极管截止，电流近似为0，如同断了的开关。当外加正向电压ＵＩ大于钳位电压Ｖr＇时，二极管导通，端电压为0.7ｖ，由外加电压来控制二极管的开关。
二、三极管的开关特性：
三极管可以分为三个工作区域：放大区、截止区和饱和区。对应这三个工作区域，三极管具有放大、截止和饱和三种工作状态。
在数字电路中，三极管作为开关主要工作于截止和饱和两种状态，而放大状态是截止和饱和之间的过渡状态，它主要应用于模拟电路中。  | 截止状态：当输入电压ＶI＜Ｖr＇时，发射结反偏，ＩＢ＝ＩＣ＝ＩＥ ≈０，ＶＣＥ≈ＶＣＣ，集电结也反偏。C-Ｅ间相当于开关断开，这种状态称三极管的截止状态。 导通状态：当输入电压ＶI＞Ｖｒ＇，发射结正偏，ＩＢ、ＩＣ增大，输出电压ＶＣＥ＝ＶＣＣ-ＩＣ×ＲＣ不断下降，降至０.7V以下时，集电结也正偏，三极管饱和，Ｃ-Ｅ间相当于开关接通，称为三极管的开态。
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三、ＭＯＳ管的开关特性：
ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）管是一种集成度高、功耗低、工艺简单的半导体器件。
 | 1.ＭＯＳ管有三个极G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。 2.ＭＯＳ管的一个重要参数是ＶＴ，称开启电压。 3.当栅源电压ＶＧＳ<ＶＴ时，不管ＶＤＳ多大，由于漏源间导电沟道尚未形成，因此ＩＤ＝０，ＶＯ＝ＶＤＤ，此时ＭＯＳ管处于截止状态，即“关态”。当栅源电压ＶＧＳ＞ＶＴ时，漏源间形成导电沟道，ＭＯＳ管处于导通状态，即“开态”，此时ＶＤＳ≈０。 由ＶI电压控制ＭＯＳ管的开关作用。 |
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